IRF7422D2PBF参数:MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:95系列:FETKY™包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:二极管(隔离式)漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):90毫欧@2.2A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):610pF@15V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO