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IRF7453

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相关型号： IRF7452TRPBF IRF7452TR IRF7452QTRPBF IRF7452PBF IRF7452 IRF7451TRPBF

IRF7453
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IRF7453参数：MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7453SaberModel IRF7453SpiceModel
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：230毫欧@1.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：930pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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