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IRF7477TR

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8-SOIC（3.9mm）

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相关型号： IRF7477PBF IRF7477 IRF7476TRPBF IRF7476PBF IRF7476 IRF7475TRPBF

IRF7477TR
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IRF7477TR参数：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7477SaberModel IRF7477SpiceModel
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5毫欧@14A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2710pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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