IRF7484Q参数:MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF7484QSaberModel IRF7484QSpiceModel标准包装:95系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):10毫欧@14A,7V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):100nC@7V不同Vds时的输入电容(Ciss):3520pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO