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IRF7492TRPBF

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IRF7492TRPBF
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IRF7492TRPBF参数：MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7492SaberModel IRF7492SpiceModel
PCNObsolescence： Gen10.1Devices12/Sept/2012
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：79毫欧@2.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：59nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1820pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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