IRF7493TRPBF参数:MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:4,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):80V电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):15毫欧@5.6A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):53nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1510pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO