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IRF7494TR

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IRF7494TR
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IRF7494TR参数：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7494PBFSaberModel IRF7494PBFSpiceModel
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Apr/2013
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：44毫欧@3.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：54nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1750pF@25V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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