IRF7507

IRF7507TR
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IRF7507TR参数：MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.4A，1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 15V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：Micro8?