IRF7507TR参数：MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带 (CT)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.4A，1.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 15V功率 - 最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装：Micro8?
