IRF7509TR参数：MOSFET N+P 30V 2A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.7A，2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 1.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：210pF @ 25V功率 - 最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装：Micro8?
