IRF7524D1GTRPBF参数：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：FETKY™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：270毫欧@1.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：240pF@15V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：8-uSMD
