IRF7530TR参数：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 5.4A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1310pF @ 15V功率 - 最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装：Micro8?
