IRF7555TR参数：MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@4.3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1066pF@10V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?
