IRF7501TR参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列设计资源： IRF7501TRSaberModel IRF7501TRSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：135毫欧@1.7A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：260pF@15V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?
