IRF7601PBF参数:MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF7601TRSaberModel IRF7601TRSpiceModel标准包装:80系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):35毫欧@3.8A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):650pF@15V功率-最大值:1.8W安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm宽)供应商器件封装:Micro8?