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IRF7603TR

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相关型号： IRF7601TRPBF IRF7601TR IRF7601PBF IRF7555TRPBF IRF7555TR IRF7534D1TR

IRF7603TR
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IRF7603TR参数：MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7603TRSaberModel IRF7603TRSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@3.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：520pF@25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）
供应商器件封装：Micro8?

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