IRF7604TR参数：MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF7604TRSaberModel IRF7604TRSpiceModel标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：590pF@15V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?
