IRF7601PBF参数：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF7601TRSaberModel IRF7601TRSpiceModel标准包装：80系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@3.8A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：650pF@15V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?
