IRF7663TR参数:MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: Gen8Rev208/Jul/2011标准包装:1系列:HEXFET®包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):8.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):20毫欧@7A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):45nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2520pF@10V功率-最大值:1.8W安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm宽)供应商器件封装:Micro8?