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IRF7663TRPBF

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相关型号： IRF7663TR IRF7607TRPBF IRF7607 IRF7606TRPBF IRF7606TR IRF7604TRPBF

IRF7663TRPBF
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IRF7663TRPBF参数：MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2520pF@10V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）
供应商器件封装：Micro8?

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