IRF7703GTRPBF参数：MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：62nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5220pF@25V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
