IRF7706TRPBF参数:MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: IRF77xx,IRF8852TRPBF17/Jan/2013标准包装:4,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):22毫欧@7A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):72nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2211pF@25V功率-最大值:1.51W安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm宽)供应商器件封装:8-TSSOP