IRF7726参数：MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF7726TRSaberModel IRF7726TRSpiceModel标准包装：80系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：69nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2204pF@25V功率-最大值：1.79W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）供应商器件封装：Micro8?
