IRF7751

IRF7751
PDF资料下载

IRF7751参数：MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：100
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1464pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP