IRF7751GTRPBF参数：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1464pF@25V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
