IRF7755TRPBF

IRF7755TRPBF
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IRF7755TRPBF参数：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF7755SaberModel IRF7755SpiceModel
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：51毫欧@3.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1090pF@15V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP