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IRF7756TR

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IRF7756TR
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IRF7756TR参数：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF7756SaberModel
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@4.3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP

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