IRF7769L1TRPBF参数：MOSF N CH 100V 375A DIRECTFET L8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：DirectFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：375A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 74A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11560pF @ 25V功率 - 最大值：3.3W安装类型：表面贴装封装：DirectFET? 等距 L8供应商器件封装：DIRECTFET L8