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IRF7807VD1

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IRF7807VD1TRPBF 优势库存
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IRF7807VD1TRPBF
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8-SOIC（3.9mm）
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品质保证,价格优惠
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工厂配单，价格优势
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IRF7807VD1TRPBF
原装正品
原厂封装
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一级代理分销/全新现货/长..
IRF7807VD1TR
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原厂原包装
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全新原装进口特价
IRF7807VD1PBF
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原厂原包装
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全新原装正品特价优惠
IRF7807VD1TRPBF
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原厂原包装
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全新原装正品特价优惠
IRF7807VD1TRPBF
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SOIC-8
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晶体管
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SOP
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原装现货，假一赔十
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原装现货，假一赔十
相关型号： IRF7807TRPBF IRF7807D2TRPBF IRF7807D2PBF IRF7807D2 IRF7807D1TRPBF IRF7807D1TR

IRF7807VD1
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IRF7807VD1参数：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7807VD1SaberModel IRF7807VD1SpiceModel
标准包装：95
系列：FETKY™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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