IRF7811WTRPBF参数:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF7811WTRPBFSaberModel IRF7811WTRPBFSpiceModel标准包装:4,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):12毫欧@15A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):33nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2335pF@16V功率-最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO