IRF7820TRPBF参数：MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：2,500系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：78毫欧@2.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1750pF@100V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
