IRF7823TR

IRF7820PBF
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IRF7820PBF参数：MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：78毫欧@2.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1750pF@100V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO