IRF7832ZPBF

IRF7832Z
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IRF7832Z参数：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7832ZSaberModel IRF7832ZSpiceModel
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3860pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO
配用：IRPP3637-12A-ND-KITREFDES12A1PHSYNCBUCKIRPP3624-12A-ND-KITREFDES12A1PHSYNCBUCK