IRF7831PBF参数：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF7831TRPBFSaberModel IRF7831TRPBFSpiceModel标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.6毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6240pF@15V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
