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IRF7842

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IRF7842TRPBF 优势库存
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2023+
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InternationalR..
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8-SOIC（3.9mm）
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6000
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SOP-8P
2023+
24615
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SOP-8
2023+
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IRF7842TRPBF
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SOIC-8
2023+
26000
晶体管
IRF7842PBF
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SOIC-8
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晶体管
IRF7842PBF-5
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原装现货
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4500
IRF7842PBF
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进口原装 库房现货
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IRF7842
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进口原装 库房现货
2023+
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IRF7842TRPBF
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进口原装 库房现货
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IRF7842TRPBF
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SOP
2023+
14999
原装现货，假一赔十
相关型号： IRF7834TRPBF IRF7834TR IRF7834PBF IRF7834 IRF7832ZTR IRF7832Z

IRF7842PBF
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IRF7842PBF参数：MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@17A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4500pF@20V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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