首页 > IC > I-1261页 >

IRF7853PBF

供应查询
您是不是要找：IRF7853PBF-5IRF7853TRIRF7853TRPBFIRF7854IRF7854PBF
IRF7853PBF
Infineon Techn..
8-SO
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IRF7853PBF
InternationalR..
8-SOIC(0.154..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IRF7853PBF
IR
2023+
1328
全新进口原装现货,保证质量
深圳市迈特新科技有限公司 VIP会员
电话：0755-83217923
联系人：李先生
QQ询价
IRF7853PBF
INTERNATIONAL ..
原厂原包装
2023+
24616
全新原装现货，价格优惠
IRF7853PBF
IR
SO-8
2023+
26000
晶体管
IRF7853PBF-5
IR
原装现货
2023+
4500
相关型号： IRF7842TRPBF IRF7842TR IRF7842PBF IRF7834TRPBF IRF7834TR IRF7834PBF

IRF7853PBF
PDF资料下载

IRF7853PBF参数：MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@8.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1640pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO
配用：IRAC1166-100W-ND-BOARDDEMO100WFORIR1166

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网