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IRF7853TR

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IRF7853TRPBF
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IRF7853TRPBF参数：MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@8.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1640pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO
配用：IRAC1166-100W-ND-BOARDDEMO100WFORIR1166

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