IRF7901D1TRPBF

IRF7901D1TRPBF
PDF资料下载

IRF7901D1TRPBF参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：4,000
系列：FETKY™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：38 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：780pF @ 16V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO