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IRF7902TRPBF

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相关型号： IRF7902PBF IRF7901D1TRPBF IRF7901D1TR IRF7901D1 IRF7862TRPBF IRF7862PBF

IRF7902TRPBF
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IRF7902TRPBF参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.4A，9.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22.6毫欧@6.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.25V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.9nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：580pF@15V
功率-最大值：1.4W，2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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