IRF8113GPBF参数：MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.6毫欧@17.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2910pF@15V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
