IRF8304MTRPBF参数：MOSFET N-CH 30V 28A MX
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,800系列：DirectFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：28A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2毫欧@28A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4700pF@15V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MX供应商器件封装：DIRECTFET?MX
