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IRF830STRL

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IRF830STRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
5950
全新原厂原装现货
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IRF830STRL 优势库存
IR
TO263
2023+
2804
原装现货，价格优势
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IRF830STRLPBF
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
2100
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IRF830STRL
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
500
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IRF830STRL
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TO-263
2023+
4557
全新原装现货,随时发货
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IRF830STRLPBF
Vishay/Silicon..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRF830STRL
Vishay/Silicon..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
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IRF830STRL
IR
TO-263
2023+
191
品质保证,价格优惠
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IRF830STRLPBF
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2023+
82878
工厂配单，价格优势
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IRF830STRLPBF
NO MFR
原厂原包装
2023+
24622
全新原装现货特价优惠
IRF830STRLPBF
IR
进口原装 库房现货
2023+
5600
相关型号： IRF830SPBF IRF830S IRF830PBF IRF830LPBF IRF830L IRF830ASTRLPBF

IRF830STRL
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IRF830STRL参数：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：610pF @ 25V
功率 - 最大值：74W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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