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IRF831

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IRF831
IR
220
2023+
13702
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IRF8313TRPBF
InternationalR..
8-SOIC(0.154..
2023+
89568
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1250
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IRF831
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220
2023+
868000
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IRF8313
InternationalR..
8-SOIC
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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IRF8313TR
InternationalR..
8-SOIC
2023+
112000
品质保证,价格优惠
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IRF8313PBF
Infineon Techn..
8-SO
2023+
500
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IRF8313TRPBF
Infineon Techn..
8-SO
2023+
1038
全新原装现货质量保证
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IRF831FI
IR/FSC
TO-220
2023+
26278
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电话：0755-83217923
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IRF831R
IR/FSC
TO-220
2023+
26278
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联系人：李先生
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IRF8313TRPBF
IR
SOP-8
2023+
425278
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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IRF8313PBF
IR
SOIC-8
2023+
26000
晶体管
IRF8313TRPBF
IR
SOIC-8
2023+
26000
晶体管
IRF831R
IR/FSC
库房现货原装进口
2023+
5600
IRF831FI
IR/FSC
库房现货原装进口
2023+
5600
IRF831
VISHA
原装现货
2023+
4500
相关型号： IRF830STRR IRF830STRLPBF IRF830STRL IRF830SPBF IRF830S IRF830PBF

IRF8313PBF
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IRF8313PBF参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：-
包装：管件
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15.5毫欧@9.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：90nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：760pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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