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IRF832

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相关型号： IRF8313TRPBF IRF8313PBF IRF830STRR IRF830STRLPBF IRF830STRL IRF830SPBF

IRF8327STR1PBF
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IRF8327STR1PBF参数：MOSFET N-CH 30V 14A SQ

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF8327STR1PBFSaberModel IRF8327STR1PBFSpiceModel
标准包装：1,000
系列：DirectFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.3毫欧@14A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1430pF@15V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容SQ
供应商器件封装：DIRECTFET?SQ

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