IRF8852TRPBF

IRF8852TRPBF
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IRF8852TRPBF参数：MOSFET N-CH DUAL 25V 7.8A 8TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF8852TRPBFSaberModel IRF8852TRPBFSpiceModel
PCNObsolescence： IRF77xx,IRF8852TRPBF17/Jan/2013
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.3毫欧@7.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1151pF@20V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP