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IRF8915TR

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IRF8915TR
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IRF8915TR参数：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF8915SaberModel IRF8915SpiceModel
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18.3毫欧@8.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：540pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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