IRF9362PBF参数：MOSFET P-CH DUAL 30V 8.0A SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF9362PBFSaberModel IRF9362PBFSpiceModel标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
