IRF9383MTR1PBF参数:MOSF P CH 30V 22A DIRECTFET
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF9383MTR1PBFSaberModel IRF9383MTR1PBFSpiceModel标准包装:1,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):22A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2.9毫欧@22A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):130nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):7305pF@15V功率-最大值:2.1W安装类型:表面贴装封装:DirectFET?等容MX供应商器件封装:DIRECTFET?MX