IRF9389TRPBF参数：MOSF N-P CH 20V 6.8A,4.6A SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：*FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.8A, 4.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 6.8A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 10µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：398pF @ 15V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
