IRF9395MTR1PBF参数：MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF9395MTR1PBFSaberModel IRF9395MTR1PBFSpiceModel标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@14A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：64nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3241pF@15V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等距MC供应商器件封装：DIRECTFET?MC
